Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente (TESIPRAK)2.5 ECTS

Lectures:

• • Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
    (Praktikum, 3 SWS, Tobias Dirnecker et al., Wed, 8:00 - 12:00, 0.111; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten, ggf. ist eine 2. Gruppe an Dienstag Vormittag möglich. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 16.04. um 14:15 Uhr im Waeber-Saal am Fraunhofer Institut IISB (Schottkystr.10)! ; Anmeldung über StudOn (http://www.studon.uni-erlangen.de/crs445697.html); Preliminary meeting: 16.4.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal)

Empfohlene Voraussetzungen:

• Grundkenntnisse zu Halbleiterbauelementen

• Vorlesung Technologie Integrierter Schaltungen empfehlenswert
  

Inhalt:

Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben Sachkenntnisse über die Funktionsweise von Solarzellen,

• lernen typische Prozessgeräte und Methoden der Prozesskontrolle in einer Halbleiterfertigung kennen,

• sammeln Erfahrung im Umgang mit Halbleiterscheiben unter den besonderen Arbeitsbedingungen eines Reinraumes

• und sind in der Lage die verschiedenen Technologieschritte hinsichtlich ihrer Vor- und Nachteile zu bewerten.
  

Literatur:

• Praktikumsskripte

• Frey, L.: Skripten zu den Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (am Lehrstuhl erhältlich)

• Götzberger, A., Voß, B., Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner Verlag, Stuttgart, 1994

Organisatorisches:

Teilnahme an Vorbesprechung erforderlich

Weitere Informationen:

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
Das Modul ist im Kontext der folgenden Studienfächer/Vertiefungsrichtungen verwendbar:

1. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
   (Po-Vers. 2007 | Studienrichtungen (Wahlpflichtmodule) | Studienrichtung Leistungselektronik | Laborpraktika Leistungselektronik | Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente)
2. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science)
   (Po-Vers. 2007 | Studienrichtungen (Wahlpflichtmodule) | Studienrichtung Mikroelektronik | Laborpraktika Mikroelektronik | Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente)
3. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science): 5-6. Semester
   (Po-Vers. 2009 | Studienrichtungen (Wahlpflichtmodule) | Studienrichtung Leistungselektronik | Laborpraktika Leistungselektronik)
4. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science): 5-6. Semester
   (Po-Vers. 2009 | Studienrichtungen (Wahlpflichtmodule) | Studienrichtung Mikroelektronik | Laborpraktika Mikroelektronik)
5. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science): 1-4. Semester
   (Po-Vers. 2010 | Masterprüfung | Studienrichtung Leistungselektronik | Laborpraktika Leistungselektronik)
6. Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Master of Science): 1-4. Semester
   (Po-Vers. 2010 | Masterprüfung | Studienrichtung Mikroelektronik | Laborpraktika Mikroelektronik)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Laborpraktikum Technologie der Silizium-Halbleiterbauelemente_ (Prüfungsnummer: 77301)

Prüfungsleistung, Studienleistung, unbenotet

weitere Erläuterungen:

• Vorbereitung auf jeden Versuch

• Teilnahme an allen Versuchen

• Anfertigung von Versuchsprotokollen

• Teilnahme und Bestehen des Abschlusstesttats
  

Erstablegung: SS 2012, 1. Wdh.: WS 2012/2013, 2. Wdh.: keine Wiederholung

1. Prüfer:

Lothar Frey