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Laven, Johannes ; Schulze, H.-J. ; Häublein, V ; Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H. ; Ryssel, Heiner ; Frey, Lothar:
Dopant profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of annealing parameters.
In: Phys. Status Solidi 8 (2011), Nr. 3, S. 697-700
[doi>10.1002/pssc.201000161]
Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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