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Laven, Johannes ; Schulze, H.-J. ; Häublein, V ; Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H. ; Ryssel, Heiner ; Frey, Lothar:
Dopant profiles in silicon created by MeV proton implantation: Influence of annealing parameters.
Vortrag: E-MRS 2010 Spring Meeting,
Strassbourg, Frankreich, 8. Juni.2010
Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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