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Boubekeur, H. ; Mikolajick, T. ; Bauer, Anton ; Frey, Lothar ; Ryssel, Heiner:
Effect of Barium Contamination on Gate Oxide Integrity in High-k DRAM.
In: Journal of Non-Crystalline Solids 303 (2002), Nr. 1, S. 12
[doi>10.1016/S0022-3093(02)00957-2]

Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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