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Boubekeur, H. ; Mikolajick, T. ; Bauer, Anton ;
Frey, Lothar
;
Ryssel, Heiner
:
Effect of Barium Contamination on Gate Oxide Integrity in High-k DRAM
.
In:
Journal of Non-Crystalline Solids
303 (2002), Nr. 1, S. 12
[doi>
10.1016/S0022-3093(02)00957-2
]
Institution:
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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