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Stiebel, D. ; Burenkov, A. ; Pichler, Peter ; Cristiano, F. ; Claverie, A. ; Ryssel, Heiner:
Modeling the amorphization of Si due to the implantation of As, Ge, and Si.
In: Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology (2000), Nr. 924137, S. 251-254
[doi>10.1109/.2000.924137]
Institution: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
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