Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie (CG-NT)10 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal Growth and Semiconductor Technology)
(Prüfungsordnungsmodul: Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul)

Lehrveranstaltungen:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2017/2018)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
  • Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
• Wahlvorlesungen
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2017/2018 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)

Die allgemeine Modulbeschreibung des Prüfungsordnungsmoduls Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul finden Sie hier.

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Lernziele und Kompetenzen:

• Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen.

• Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit
  

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Nanotechnologie (Master of Science)
   (Po-Vers. 2015w | TechFak | Nanotechnologie (Master of Science) | Masterprüfung | Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Kristalzüchtung und Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 824008)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Prüfungssprache: Deutsch und Englisch

Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018

1. Prüfer:

Peter Wellmann