Halbleiterbauelemente (HBEL)5 ECTS
(englische Bezeichnung: Semiconductor Devices)
(Prüfungsordnungsmodul: Halbleiterbauelemente)

Lectures:

• Das Tutorium Halbleiterbauelemente stellt ein zusätzliches Angebot an die Studierenden zur Prüfungsvorbereitung dar. Es handelt sich dabei um eine freiwillige Wahlveranstaltung.

  • Halbleiterbauelemente
    (Vorlesung, 2 SWS, Tobias Dirnecker, Tue, 10:15 - 11:45, H6; single appointment on 23.4.2019, 16:15 - 17:45, H5; Hinweis: zusätzlicher Vorlesungstermin in der ersten Vorlesungswoche (23.04.), dafür am Ende des Semesters ein zusätzlicher Übungstermin!)
  • Übungen zu Halbleiterbauelemente
    (Übung, 2 SWS, Christian Martens, Tue, 16:15 - 17:45, H5)
  • Tutorium Halbleiterbauelemente (optional)
    (Tutorium, 2 SWS, Assistenten, Wed, 14:15 - 15:45, 04.023; 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters)

Empfohlene Voraussetzungen:

Grundlagen der Elektrotechnik I

It is recommended to finish the following modules before starting this module:

Grundlagen der Elektrotechnik I (WS 2017/2018)

Inhalt:

Nach einer Einleitung werden Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie die Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleitete Bauelemente besprochen. Anschließend werden Ladungsträger im Halbleiter behandelt: Hier werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

Verstehen

verstehen grundlegende physikalische Vorgänge (u.a. Drift, Diffusion, Generation, Rekombination) im Halbleiter
interpretieren Informationen aus Bänderdiagrammen

Anwenden

beschreiben die Funktionsweisen moderner Halbleiterbauelemente
berechnen Kenngrößen der wichtigsten Bauelemente

übertragen - ausgehend von den wichtigsten Bauelementen, wie Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren - diese Funktionsprinzipien auf Weiterentwicklungen für spezielle Anwendungsgebiete wie Leistungselektronik oder Optoelektronik

Analysieren

diskutieren das Verhalten der Bauelemente z.B. bei hohen Spannungen oder erhöhter Temperatur

Literatur:

• Vorlesungsskript, am LEB erhältlich

• Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997

• Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995

• Th. Tille, D. Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2004

• S.K. Banerjee, B.G. Streetman: Solid State Electronic Devic-es, Prentice Hall, 2005
  

Organisatorisches:

Unterlagen zur Vorlesung über StudOn

Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:

1. Medizintechnik (Bachelor of Science)
   (Po-Vers. 2018w | TechFak | Medizintechnik (Bachelor of Science) | Bachelorprüfung | Vertiefungsmodule ET/INF | Halbleiterbauelemente)

Studien-/Prüfungsleistungen:

Vorlesung Halbleiterbauelemente (Prüfungsnummer: 25901)

(englischer Titel: Lecture: Semiconductor Devices)

Prüfungsleistung, Klausur, Dauer (in Minuten): 90, benotet, 5 ECTS

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: SS 2019, 1. Wdh.: WS 2019/2020

1. Prüfer:

Tobias Dirnecker

Termin: 29.07.2019, 11:30 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 10.02.2020, 11:00 Uhr, Ort: Tentoria
Termin: 10.08.2020, 13:00 Uhr, Ort: s. Aushang
Termin: 15.02.2021, 17:00 Uhr, Ort: BASPH