Crystal Growth MWT (M2 - M3) (CGMWT)12.5 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal Growth MWT)

Lehrveranstaltungen:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2017/2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:15 - 16:00, 3.71; bis zum 6.2.2018; Am 19.12.2017 - im Raum 0.85; keine Vorlesungen am 21.11.2017 und 30.01.2018)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2017/2018)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2018)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 12:15 - 13:45, 3.71; ab 16.4.2018)
  • Exkursionen (SS 2018)
    (Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen können Vorlesungen gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingehen.

  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 14:15 - 15:45, 3.71; ab 25.4.2018; 6 termine im SS2018)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2017/2018 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:15 - 13:45, A 2.16)
  • Numerische Modellierung des Kristallwachstums mithilfe des Programmpakets COMSOL Multi-Physics (SS 2018 - optional)
    (Vorlesung mit Übung, 2 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwchstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Praktikum:

• Czochralski Kristallwachstum vonInSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

• lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

wird in den Lehrveranstaltungen angegeben

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 63701)

(englischer Titel: Crystal growth MWT)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2017/2018, 1. Wdh.: SS 2018

1. Prüfer:

Peter Wellmann