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  Materialien und Bauelemente für die Optoelektronik und Energietechnologie: Grundlagen (OpEt-G)

Dozent/in
Prof. Dr. Christoph J. Brabec

Angaben
Vorlesung
2 SWS, ECTS-Studium, ECTS-Credits: 3, Sprache Deutsch, Die genaue Uhrzeit der VL wird am 16.10. an der Vorbesprechung festgesetzt
Zeit und Ort: Di 8:30 - 10:00, 3.71
Vorbesprechung: 16.10.2017, 9:30 - 10:00 Uhr, Raum 3.71

Studienfächer / Studienrichtungen
PF MWT-MA-WET 1 (ECTS-Credits: 3)
WF ET-MA-MWT ab 1 (ECTS-Credits: 3)
WPF NT-MA 1 (ECTS-Credits: 3)

Voraussetzungen / Organisatorisches
Vordiplom

ECTS-Informationen:
Title:
Materials for electrical engineering

Credits: 3

Prerequisites
Vordiploma, semiconducter technology

Contents
Electrical properties of matter: Conductivity, mobility, energy bands, Crystal symmetry and structure Lattice defects: Point deefects, line defects, three dimensional defects, thermodynamics of defects, Phonons, specific heat, thermal conductivity Classe of materials: Metals: T-dependance of resistivity, thermal conductivity Semicondutors: Carrier statistics, effective mass, Fermi-level, donors and acceptors, direct and indirect semiconductors. Wide bandgap materials. Dielectrics, in particular: Ferroelectricity, piezoelectricity. Superconductors: Physical principles, metals and ceramics, superconductors of 1. and 2. kind, technology and applications

Zusätzliche Informationen
Schlagwörter: Siliziumkarbid,
Erwartete Teilnehmerzahl: 4, Maximale Teilnehmerzahl: 30

Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
Startsemester WS 2017/2018:
Materialien der Elektronik und Energietechnik (i-MEET) M2 - M3 - WW6 (MEE M2/3 WW6)
Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Crystal Growth (M1_CG_WW6)
Materialien der Elektronik und Energietechnik mit Vertiefung Organic Electronics (M1_OE_ WW6)
Materialien der Elektronik und Energietechnologie (i-MEET) M7 (MfE)

Institution: Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
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