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Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik (Bachelor of Science) >>
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Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (PiBa-V)- Lecturer
- PD Dr. Tobias Erlbacher
- Details
- Vorlesung
2 cred.h, benoteter certificate, ECTS studies, ECTS credits: 5
nur Fachstudium, Sprache Deutsch, Veranstaltung wird zunächst ohne Präsenztermine im digitalen Format angeboten (StudOn)
Time and place: Fri 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
- Fields of study
- WPF ME-BA-MG4 5-6
PF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG4 1-3
WPF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3
- Contents
- In dieser Vorlesung werden die physikalischen Anforderungen an integrierte Bauelemente und deren Umgebung definiert und Lösungsansätze anhand von Prozess-Sequenzen vorgestellt.
Insbesondere soll dabei dargelegt werden, wie durch die stetige Verkleinerung der Strukturen neue prozesstechnische Verfahren zur Einhaltung der an die Technologie gestellten Forderungen notwendig werden.
In einer Einleitung werden kurz die Methoden der Herstellung (vgl. Technologie integrierter Schaltungen) vorgestellt. Die für Mikroprozessoren und Logikschaltungen wichtige CMOS-Technik wird im Anschluss daran ausführlich behandelt, gefolgt von der Bipolartechnik und der BiCMOS-Technik, bei der sowohl CMOS, als auch
Bipolarschaltungen auf einem Chip integriert werden. Der nächste Vorlesungsabschnitt widmet sich den statischen und dynamischen Speichern, hier werden sowohl die wichtigsten Speicherarten (DRAM, SRAM, EPROM, Flash) vorgestellt, als auch die notwendigen Technologieschritte. Ein kurzes Kapitel befasst sich mit dem Aufbau von Leistungsbaulelementen. Die Problematik der Metallisierung sowie die Aufbau- und Verbindungstechnik, die für alle Bauelemente ähnlich ist, wird im Anschluss behandelt. Das letzte Kapitel beinhaltet Aspekte zur Ausbeute und Zuverlässigkeit von Bauelementen.
- ECTS information:
- Title:
- Process Integration and Device Architecture
- Credits: 5
- Prerequisites
- none
- Contents
- After a brief overview of fundamental processing steps for manufacturing semiconductor devices and integrated circuits, the CMOS technique is explained in detail. Afterwards, the bipolar and the BiCMOS techniques are introduced. The latter integrates both bipolar and CMOS devices on one chip. The next topic deals with the main kinds of static and dynamic memories, like DRAM, SRAM, EPROM or flash memories. A short chapter is dedicated to the architecture of power devices. The following topics, metallization, assembly and
packaging technology, describe all steps from a processed silicon wafer to a packaged microchip. Important aspects of IC
fabrication yield and circuit reliability will be discussed as final topic of the lecture.
- Additional information
- Keywords: Halbleitertechnologie
Expected participants: 46
www: https://www.studon.fau.de/crs2847794.html
- Assigned lectures
- EX: Exkursion Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente
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Lecturer: Assistenten
Time and place: n.V.; comments on time and place: Wird in den Veranstaltungen des Lehrstuhls bekannt gegeben
- UE: Übungen zu Prozessintegration und Bauelementearchitekturen
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Lecturer: Michael Niebauer, M. Sc.
Time and place: Tue 18:15 - 19:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
www: https://www.studon.fau.de/crs2847794.html
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2019/2020:
- Nanoelektronik (CE6)
- Startsemester SS 2020:
- Prozessintegration und Bauelementearchitekturen (PiBa)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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