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Mechatronik (Bachelor of Science) >>
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Halbleiterbauelemente (HBEL-V)- Lecturer
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker, Akad. ORat
- Details
- Vorlesung
2 cred.h
für Anfänger geeignet, Sprache Deutsch
Time and place: Tue 10:15 - 11:45, H6; single appointment on 23.4.2019 16:15 - 17:45, H5; comments on time and place: Hinweis: zusätzlicher Vorlesungstermin in der ersten Vorlesungswoche (23.04.), dafür am Ende des Semesters ein zusätzlicher Übungstermin!
- Fields of study
- WF MS-MA ab 1
PF ME-BA 4
WPF MT-MA-MEL ab 1
WPF MT-BA-BV ab 5
WF C-MA ab 1
WF MWT-MA-TS ab 1
PF BPT-MA-M-E ab 1
- Prerequisites / Organisational information
- Unterlagen zur Vorlesung über StudOn erhältlich
- Contents
- Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.
- Recommended literature
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich
Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995
- ECTS information:
- Title:
- Semiconductor Devices
- Contents
- Semiconductor Devices is a lecture on the physical foundations of modern semiconductor devices especially for electrical engineering students. Following a brief introduction, the equations of motion of charged carriers in vacuum as well as the emission of charge carriers in vacuum are described together with vacuum devices. Next, charge carriers in semiconductors are discussed: The essential aspects of solid state physics, basic prerequisites to an understanding of modern semiconductor devices, are summarized. On this basis, the principal semiconductor devices such as diodes, bipolar transistors and FETs are presented in detail. Introductions to the basics of power devices and opto-electronic devices complete the lecture.
- Additional information
- Expected participants: 100
- Assigned lectures
- TUT: Tutorium Halbleiterbauelemente
-
Lecturer: Assistenten
Time and place: Wed 14:15 - 15:45, 04.023; comments on time and place: 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters
- UE: Übungen zu Halbleiterbauelemente
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Lecturer: Christian Martens, M. Sc.
Time and place: Tue 16:15 - 17:45, H5
- Verwendung in folgenden UnivIS-Modulen
- Startsemester WS 2018/2019:
- Nanoelektronik (CE6)
- Startsemester SS 2019:
- Halbleiterbauelemente (HBEL)
- Department: Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)
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