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Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten AWA; 4 SWS; n.V.					Frey, L.
Ausgewählte Kapitel der Silicium-Halbleitertechnologie SEM; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 14:00 - 16:15, 0.111; Vorbesprechung: 13.10.2015, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111				WPF ME-DH-SEM ab 6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-BA-SEM 3-6	Scharin, M.
Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr] VORL; 2 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Di, 8:15 - 9:45, 0.111					Jank, M.
Exkursion "Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente" EX; 1 SWS; Schein; Zeit und Raum n.V.					Polster, S.
Forschungspraktikum am LEB SL; Schein; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>					Dirnecker, T.
Halbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Di, 10:15 - 11:45, H9; Einzeltermine am 16.10.2015, 23.10.2015, 10:15 - 11:45, H8				WPF MT-MA-MEL ab 1 PF EEI-BA 3 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5 WPF MT-BA-BV ab 5	Frey, L.
Tutorium Halbleiterbauelemente TUT; 2 SWS; Di, 18:15 - 19:45, H9; Erster Termin: 01.12.2015				PF EEI-BA 3 PF BPT-BA-E 3 PF WING-BA-IKS 5	Stolzke, T.
Übungen zu Halbleiterbauelemente UE; 2 SWS; Fr, 10:15 - 11:45, H8				WPF MT-MA-MEL ab 1 PF EEI-BA 3 PF WING-BA-IKS 5 PF BPT-BA-E 3 WPF MT-BA ab 5	Stolzke, T.
Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES] SEM; ben. Schein; ECTS: 2,5; Fr, 14:15 - 15:45, 0.111; Bitte beachten Sie den Termin zur Vorbesprechung; Vorbesprechung: 16.10.2015, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111					Dirnecker, T. u.a.
Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik KO; 1 SWS; Mo, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.					Bauer, A.
Leistungselektronik im Fahrzeug und Antriebsstrang [LE KFZ] VORL; 4 SWS; ECTS: 5; Die Veranstaltung beinhaltet Vorlesungs- und Übungseinheiten; Mo, 8:15 - 9:45, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Vorlesung: Mo., 8:15-09:45 Uhr; Übung: Mo., 10:15 -11:45 Uhr				WPF BPT-MA-E 1-3 WPF ME-BA-MG3 3-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-3 WF EEI-BA ab 5 WF EEI-MA ab 1 WPF ME-MA-MG3 1-3	März, M.
Leistungshalbleiterbauelemente VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; Do, 16:00 - 17:30, 0.111				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF EEI-MA-EuA 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3 WPF BPT-MA-E 1-3	Erlbacher, T.
Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente UE; 2 SWS; Erster Übungstermin in der 2. Vorlesungswoche; Mi, 12:15 - 13:45, 0.111; ab 21.10.2015				WF ME-DH-VF11 5-10 WPF ME-BA-MG3 3-6 PF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-BA-EuA 5-6 WPF EEI-MA-EuA 1-4 PF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA-MG3 1-3 WPF BPT-MA-E 1-3	Albrecht, M.
Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling VORL; 2 SWS; Do, 10:15 - 11:45, Hans-Georg-Waeber-Saal				WF EEI-MA ab 1 WF ME-DH ab 7 WF AOT-GL ab 1 PF NT-MA 1	Erdmann, A.
Übung zu Optical Lithography UE; 2 SWS; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Do, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, 0.157-115; On 29th Oct, 19th Nov and 10th Dec the course starts only at 13.00.				WF AOT-GL ab 1 PF NT-MA 1	Erdmann, A.
Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet ggf. als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit statt. Termin nach Vereinbarung. Anmeldung über StudOn; Vorbesprechung: 23.10.2015, 14:00 - 14:30 Uhr, BR 1.161				WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF ME-DH-PEEI 5-10	Dirnecker, T. Krach, F.
Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar!!; Vorbesprechung: 13.10.2015, 10:00 - 11:30 Uhr, 0.111				WPF EEI-BA-MIK 5-6	Scharin, M.
	n.V.				Krach, F.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Krach, F.
	n.V.				Frickel, J. Glein, R.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Frickel, J. Glein, R.
	n.V.				Röber, J.
	Versuchstermine werden in der Vorbesprechung festgelegt				Röber, J.
Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi] PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 2,5; Hinweis: Das Praktikum wird im Wintersemester 2015/16 nicht angeboten; Zeit und Raum n.V.				WPF ME-DH-PEEI ab 5 WPF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-LE 5-6 WPF EEI-MA-LE 1-4 WPF ME-MA ab 1	Dirnecker, T.
Reinraumpraktikum [RRPrak] PR; 6 SWS; ECTS: 5; Teilnahme an der Vorbesprechung am 16.10. ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.; Vorbesprechung: 16.10.2015, 14:00 - 15:30 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal				PF NT-BA 5	Scharin, M. Matthus, Ch.D. Dirnecker, T.
	Do	8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00	0.111		Matthus, Ch.D.
	Do	8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00	BR 1.161		Scharin, M.
	Do Do	9:00 - 13:00 14:00 - 18:00	BR 1.161, 0.111 BR 1.161		Matthus, Ch.D. Scharin, M.
	Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.				Matthus, Ch.D. Scharin, M.
Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA] SEM; 2 SWS; ECTS: 2,5; Fr, 10:15 - 11:45, 0.111					Dirnecker, T.
Seminar über Masterarbeiten (Sem MA) SEM; 2 SWS; Fr, 12:15 - 13:45, 0.111; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden					Matthus, Ch.D.
Technik der Halbleiterfertigungsgeräte VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 2,5; Di, 10:15 - 11:45, Raum n.V., (außer Di 10.11.2015, Di 17.11.2015, Di 1.12.2015, Di 8.12.2015, Di 15.12.2015); Die Vorlesung findet im Seminarraum 2 am Fraunhofer IISB (Schottkystr. 10, 1. OG) statt. Termin am 22.12.: Reinraumbesichtigung; Vorbesprechung: 14.10.2015, 15:15 - 16:00 Uhr				WF EEI-MA ab 1 WF EEI-BA ab 5 WPF ME-BA-MG10 3-6 WPF ME-MA-MG10 1-3 WF WW-DH-EL 7-13	Pfitzner, L. Schmutz, W.
Technologie integrierter Schaltungen VORL; 3 SWS; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Di, 16:00 - 18:15, Hans-Georg-Waeber-Saal; Einzeltermine am 3.11.2015, 17.11.2015, 16:00 - 18:30, H6				WPF BPT-MA-E 1-3 PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1	Frey, L.
Übung zu Technologie integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Mo, 16:15 - 17:45, H6, 0.111; Die Übung findet 14-tägig als 2-stündige Veranstaltung statt. Der Beginn der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben,				PF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-BA-MIK 5-6 PF EEI-MA-MIK 1-4 WPF EEI-MA-MIK 1-4 PF INF-NF-EEI ab 5 WPF ME-BA-MG4 3-6 WPF ME-MA-MG4 1-3 WF NT-MA ab 1 WPF BPT-MA-E 1-3	Matthus, Ch.D.
Technologie medizinischer Mikrosysteme VORL; 2 SWS; ECTS: 2,5; Mo, 14:15 - 15:45, 0.111				WPF MT-MA-MEL ab 2	Dirnecker, T.
Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H. u.a.
Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb) VORL; 4 SWS; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)					Ryssel, H.
Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen VORL; 2 SWS; ben. Schein; ECTS: 4; Mi, 16:15 - 17:45, 0.111				WPF BPT-MA-E 1-3 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.
Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen UE; 1 SWS; ben. Schein; Erster Termin der Übung wird in der Vorlesung bekannt gegeben.				WPF BPT-MA-E 1-3 WPF EEI-BA-MIK 5-6 WPF EEI-MA-MIK 1-4	Pichler, P.



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Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

Leistungselektronik im Fahrzeug und Antriebsstrang [LE KFZ]

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

Praktikum Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Prak TeSi]

Reinraumpraktikum [RRPrak]

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA]