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Departments >> School of Engineering >> Department of Electrical-Electronic-Communication Engineering >>

Chair of Electron Devices (Prof. Dr. Frey)

 

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

AWA; 4 cred.h; n.V.
  Frey, L.  
 

Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB]

VORL; 1,5 cred.h; ECTS: 2,5; Tue, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Zeit und Raum nach Vereinbarung in Absprache mit Dozenten; Am 30.10. findet die Vorlesung im Seminarsaal 2 am Fraunhofer IISB statt.; Preliminary meeting: 16.10.2012, 12:15 - 13:45 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF ME-BA-MG3 3-6
WPF ME-BA-MG11 3-6
WPF ME-MA-MG3 1-3
WF EEI-BA ab 5
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-MG11 1-3
März, M.  
 

Übung zu Architekturen und Systemtechnik für Elektromobilität [EMOB Ü]

UE; 0,5 cred.h; Übungseinheiten im Umfang von 0,5 SWS finden im Rahmen des Vorlesungstermines statt.; Termine der Übung nach Absprache in der Vorlesung
  März, M.  
 

Selected Topics of Silicon Semiconductor Technology

SEM; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Tue, 14:15 - 15:45, 0.111; Preliminary meeting: 16.10.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111
WPF ME-DH-SEM 5-13
WPF ME-MA 1-4
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
Grandrath, Ch.  
 

Einführung in die gedruckte Elektronik [GedrElektr]

VORL; 2 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Wed, 12:30 - 14:00, Raum n.V.; Seminarsaal I (Schottkystr. 10, 1. OG);; Preliminary meeting: 17.10.2012, 12:30 - 14:00 Uhr
  Schmidt, K.
Jank, M.
 
 

Excursion Semiconductor Processing

EX; 1 cred.h; certificate; Zeit und Raum n.V.
  Grandrath, Ch.  
 

Forschungspraktikum am LEB

SL; certificate; ECTS: 5; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <link wird noch eingefügt>; Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>
  Dirnecker, T.
Grandrath, Ch.
 
 

Semiconductor Devices

VORL; 2 cred.h; ECTS: 5; Physikalische Grundlagen der Halbleiterbauelemente; Mon, 18:15 - 19:45, H11
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 4
PF EEI-BA-S 2
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Frey, L.  
 

Tutorium Halbleiterbauelemente

TUT; 2 cred.h
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 4
PF EEI-BA-S 2
PF BPT-BA-E 3
PF WING-BA-IKS 5
Hürner, A.  
     Mon16:15 - 17:45H4  Hürner, A. 
 1. Termin nach Absprache ab Mitte des Semesters
     Wed18:15 - 19:45H8  Hürner, A. 
 

Übungen zu Halbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h
PF EEI-BA 3
PF EEI-BA-S 4
PF EEI-BA-S 2
PF WING-BA-IKS 5
PF BPT-BA-E 3
Hürner, A.  
     Mon14:15 - 15:45H6  Hürner, A. 
     Tue16:15 - 17:45HA  Hürner, A. 
 

Integrierte Schaltungen, Leistungsbauelemente und deren Anwendungen [SEM_POWERDEVICES]

SEM; ben. certificate; ECTS: 2,5; Fri, 13:00 - 15:00, 0.111; Preliminary meeting: 16.10.2012, 14:15 - 15:00 Uhr, 0.111
  Wunder, B.
Dirnecker, T.
 
 

Colloquium on Semiconductor Technology and Metrology

KO; 1 cred.h; Mon, 17:15 - 18:00, Hans-Georg-Waeber-Saal; Siehe Vortragsliste auf der Homepage des LEB.
  Bauer, A.  
 

Semiconductor Power Devices and Smart Power ICs

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 5; Tue, 10:15 - 11:45, 0.111
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
Erlbacher, T.
Frey, L.
 
 

Übung zu Leistungshalbleiterbauelemente

UE; 2 cred.h; ben. certificate; Mon, 14:15 - 15:45, 0.111; starting 22.10.2012
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF ME-MA-MG3 1-3
Erlbacher, T.
Frey, L.
 
 

Optical Lithography: Technology, Physical Effects, and Modelling

VORL; 2 cred.h; Thu, 12:00 - 13:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WF EEI-MA ab 1
WF ME-DH ab 7
WF AOT-GL ab 1
Erdmann, A.  
 

Übung zu Optical Lithography

UE; 2 cred.h; Für Master AOT verpflichtende Zusatzveranstaltung, für andere Studiengänge freiwillig; Wed, 9:00 - 10:30, AOT-Bibliothek
WF AOT-GL ab 1 Erdmann, A.  
 

Laboratory on Semiconductor and Device Metrology

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik; Das Praktikum findet als Blockpraktikum in den Winterferien statt, vorraussichtlich an 2 aufeinanderfolgenden Wochen zwischen dem 26.02. und 28.03.2013.; Preliminary meeting: 15.10.2012, 14:50 - 15:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-DH-PEEI 5-10
Grandrath, Ch.  
 

Laboratory on Microelectronics [PrakMikro]

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Preliminary meeting: 17.10.2012, 13:00 - 14:00 Uhr, 0.111
WPF EEI-BA-MIK 5-6   
     Wed13:00 - 17:00EL 4.13  Rascher, J.
u.a.
 
     Wed13:00 - 17:00n.V.  Frickel, J.
u.a.
 
     Wed13:00 - 17:00BR 1.161  Scharin, M.
Grandrath, Ch.
 
 

Laboratory on Silicon Semiconductor Processing

PR; 3 cred.h; certificate; ECTS: 2,5; Vorlesung Technologie integrierter Schaltungen vorausgesetzt; Wed, 8:30 - 12:30, BR 1.161; Wed, 8:30 - 10:00, 0.111; Praktikum wird am Mittwoch Vormittag angeboten. Wichtig: Teilnahme an Vorbesprechung am 15.10.2012 um 15:00 Uhr im Hans-Georg-Waeber-Saal! ANMELDUNG über StudON; Preliminary meeting: 15.10.2012, 15:00 - 16:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF ME-DH-PEEI 5-10
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-MA-LE ab 1
WPF EEI-BA-LE ab 5
WPF ME-MA-P 1-3
Dirnecker, T.
Assistenten
 
 

Production in Electrotechnology

VORL; 2 cred.h; ECTS: 2,5; Tue, 16:00 - 17:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
WPF ME-BA-MG8 3-6
WPF ME-MA-MG8 1-3
Frey, L.
Frick, Th.
 
 

Virtuelle Übung zu Produktion in der Siliciumtechnologie

UE; 1 cred.h; Anmeldung über die Internetseite des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente; zur Verbesserung der Prüfungsvorbereitung LEB-Teil
  Assistenten  
 

Reinraumpraktikum [RRPrak]

PR; ECTS: 5; Teilnahme an Vorbereitungstreffen verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten (08:00-12:00 oder 13:00-17:00) werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.
PF NT-BA 5 Grandrath, Ch.
Scharin, M.
 
     single appointment on 18.10.20128:15 - 9:450.111  Grandrath, Ch.
Hürner, A.
Scharin, M.
 
     Thu
Thu
single appointment on 6.12.2012
8:00 - 9:00
13:00 - 14:00
13:00 - 14:00
0.111
0.111
1.225
  Hürner, A.
Grandrath, Ch.
Scharin, M.
 
     Thu8:00 - 9:00, 13:00 - 14:00BR 1.161  Grandrath, Ch.
Hürner, A.
Scharin, M.
 
     Thu9:00 - 13:00, 14:00 - 18:00BR 1.161  Betreuer 
 Findet u.a. im Reinraum des LEB statt. Gruppeneinteilung am Semesterbeginn.
 

Seminar on Theses

SEM; 2 cred.h; Fri, 10:30 - 12:15, 0.111, (außer Fri 7.12.2012); to 29.3.2013; (Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden
  Dirnecker, T.
Wunder, B.
 
 

Technology of Semiconductor Manufacturing Equipment

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 2,5; Wed, 15:15 - 17:45, Hans-Georg-Waeber-Saal; Preliminary meeting: 17.10.2012, 15:30 - 16:30 Uhr
WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5
WF MB-DH 5-10
WPF ME-DH-VF8 5-7
WPF ME-BA-MG8 3-6
WPF ME-MA-MG8 1-3
WF WW-DH-EL 7-13
Pfitzner, L.
Schmutz, W.
 
 

Technology of Integrated Circuits

VORL; 3 cred.h; ECTS: 5; benoteter Schein möglich; Mon, 10:15 - 12:30, Hans-Georg-Waeber-Saal
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-DH-VF13 5-7
WF ME-DH-VF11 5-10
WPF ME-BA-MG12 3-6
WPF ME-MA-MG12 1-3
WPF ME-BA-MG11 3-6
WPF ME-MA-MG11 1-3
WF NT-MA ab 1
Frey, L.  
 

Übung zu Technologie integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; Veranstaltung nach Absprache evtl. 14-tägig; Thu, 16:15 - 17:45, 0.111, (außer Thu 6.12.2012); starting 22.10.2012
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-DH-VF13 5-7
WPF ME-BA-MG12 3-6
WPF ME-MA-MG12 1-3
WPF ME-BA-MG11 3-6
WPF ME-MA-MG11 1-3
WF NT-MA ab 1
Scharin, M.  
 

Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; in Kooperation mit Prof. Schmidt-Landsiedel (TU München), Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.
u.a.
 
 

Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb)

VORL; 4 cred.h; enthält 2 SWS Übung; Anmeldung bei der virtuellen Hochschule Bayern (vhb)
  Ryssel, H.  
 

Reliability and Failure Analysis of Integrated Circuits

VORL; 2 cred.h; ben. certificate; ECTS: 4; Wed, 12:15 - 13:45, Hans-Georg-Waeber-Saal, (außer Wed 31.10.2012, Wed 7.11.2012); single appointment on 7.11.2012, 12:15 - 13:45, 0.111; Vorlesung findet am 31.10. im Seminarraum 2 am IISB statt
WPF ME-DH-VF11 5-7
WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-BA-MG11 3-6
WPF ME-MA-MG11 1-3
Pichler, P.  
 

Übung zu Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen

UE; 1 cred.h; ben. certificate; Zeit und Ort nach Vereinbarung
WPF ME-DH-VF11 5-7
WPF ME-BA-MG11 3-6
WPF ME-MA-MG11 1-3
Pichler, P.  


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